晶圓代工之戰，7奈米製程意料由臺積電(2330)勝出，4奈米之戰仍在劇烈廝殺。外媒稱，三星電子爭先採用極紫外光(EUV)微影器材，又投入研發能代替「鰭式場效電晶體」(FinFET)的新專業，目前看來好像較佔上風。
Andro Authority六合彩玩法秘訣新聞(見此)，製程不停微縮，傳統微影專業來臨極點，無法解決更細緻的暴露顯像需要，必要改用波長更短的EUV，才幹正確刻蝕電路圖。5奈米以下製程，EUV是必備器具。三星來歲生產7奈米時，就會率先使用EUV，這有如讓三星在6奈米以下的比拼爭先起跑，可望加速成長速度。
相較之下，臺積電和格芯(GlobalFoundries、原名格羅方德)的第一代7奈米製程，仍會採用傳統的浸潤式微影專業，第二代才會採用EUV。
製程微縮除了需擁抱EUV，也需開闢FinFET專業接替人。電晶體行運是靠閘極(gate)管理電流是否或許通過，但是晶片越做越小，電流暢道寬度不停變窄，難以管理電流方位，前程FinFET恐怕不敷採用，不少人以為「閘極全環場效電晶體」(Gate-all-around FET，GAAFET)是最佳解決計劃。
本年稍早，三星、格芯和IBM攜手，發行環球首見的5奈威力彩應該包牌嗎米晶圓專業，使用EUV和GAAFET專業。三星路徑圖也估算，FinFET難以在5奈米之後採用，4奈米將使用GAAFET。只管晶圓代工研發不易，輕易趕上波折耽誤，但是目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示，計畫最快在2024年生產4奈米，進度超乎同業，也許有望勝出。
