三星電子(Samsung Electronics)週二(10月31日)公布財報時，暗示明(2024)年DRAM、NAND型快閃影像體供應緊繃，啟發美光(Micron Technology, Inc)股價急升，一語氣躍上16年高。
barron`s新聞，Stifel Nicolaus半導體器材解析師Patrick Ho刊登研討匯報指出，三星的262億美元半導體擴產支出中，70-75%將花在影像體上面，固然投資人對影像體資金支出明顯上揚感覺憂心，但估算DRAM和NAND的短缺場合，至少城市延續到來歲上半年。
Ho表明，固然3D NAND型快閃影像體今明兩年的業界產能將顯著上升，但需要仍將在來歲一終年逾越供應，甚至到了2024年仍將連續短缺。三星控制層提到，12月資金支出有一大部門將用來打造器材和無塵室，這些裝置應當會用來因應DRAM擴產舉動。Ho還說，利用質料(Applied Materials)是三星提升半導體、面板資金支出的最大受惠者。
BMO Capital解析師Tim Long則說，三星財報手機會議的焦點包含有：2024年第4季半導體資金支出將高達98兆韓圜、大多會用來擴充無塵室；資金支出的優先次序依序為擴充平澤廠的3D NAND產能、DRAM製程轉移、DRAM轉換以補救製程轉移造成的產能虧本；因為轉換本錢高於預期，三星不再積極要將平面(Planar)NAND產能轉換至DRAM。
美光10月31日終場跳漲639%、收4431美元，創2024年8月2日以來收盤高，漲幅在費城半導體指數30支成分股中排名第二。
韓聯社、路透社、金融時報新聞，三星電子影像體部分Q3營益為996兆韓圜，破古史新高，此中DRAM販售尤為傑出。三星本年的資金開支將達462兆韓圜，高於上年的255兆韓圜。此中295兆韓圜將投資半導體、141兆韓圜投資面板。三星表明，2024年將提高10奈米品級的DRAM產出，並實時量產第五代3D 威力彩購買規則NAND。
韓媒etnes 31日新聞，據了解三星正在改裝南韓華城(Hasung)廠16號線，此一產線原先生產2D NAND，來歲第一季起將量產DRAM。另有，三星的南韓平澤廠也在打造新DRAM產線，第一階段產能估算來539中獎方法歲第三季開出。
預測2024年三星在華城廠和諧澤廠的DRAM產出將提升6萬組，規模不算太大。疑問在2024年下半之後，三星計畫把華城16號線提高539中獎機率的方法全數用於生產DRAM，若閒置空間全數採用，DRAM產能將提升135萬組。不但如此，屆時平澤廠DRAM投資也大樂透玩法步驟進入第二階段，DRAM產能今彩539 號碼統計將增10萬組。兩廠相加，等於開出235萬組的新產能。作為比較，本年第三季環球DRAM產能為每月110萬組，要是三星真的增產235萬組，環球DRAM供應將飆升20%。
