三星電子(Samsung Electronics Co)今(2024)年的半導體資金支出大幅提升、增幅出乎市場預料之外，科技市調機構IC Insig威力彩包牌好處hts警告，這會讓3D NAND型快閃影像體供應多餘，也抹殺了中國企業在3D NAND或DRAM市539中獎計算場大展身手的但願。
IC Insights 14日刊登研討匯報指出，本年環球半導體資金支出有望發展35%至908億美元，此中三星本年的支出高達539玩法詳解260億美元、遠多於上年的113億美元，比英特爾(Intel Corp)、臺積電(2330)加總起來還要多。
IC Insights總裁Bill McClean指出，他追蹤半導體行業這37年來，未曾看過如此積極的資金支出擴充計畫，三星本年的支出規模，在半導體業界可說是史無前例。(圖為三星積年支出金額統計)
該機構預計，三星本年第4季的半導體資金支出將到達86億美元，佔環球半導體行業支出總額(262億美元)的33%。與此同時，三星Q4的導體販售額，對環球佔比則將達16%。
I今彩539如何對兌C Insights估算，三星本年的260億美元半導體支出當中，140億美元會分發給3D NAND、70億美元分發給DRAM、50億美元分發給技術晶圓代工(用來擴充10奈米製程產能)。
三星本年的巨大資金支出，對前程陰礙極大。該機構相信，3D NAND市場很可能會有一段供過於求的期間，除了三星壯舉支出外，競爭敵手(如SK Hynix、美光、東芝、英特爾等)也會隨著擴充產能、以免喪失市佔率。另一方面，三星壯舉支出，也等於抹殺了中國在3D NAND或DRAM市場大展身手的但願。
